Espejos de Bragg de AIGaN/GaN crecidos por Epitaxia de Haces Moleculares para Dispositivos Optoelectrónicos de Cavidad Resonante.
Fecha :
Vie, 15/10/2004
Calificación:
Sobresaliente Cum Laude
Documento electrónico:
- Inicie sesión para enviar comentarios
Versión para impresión
