Crecimiento y fabricación de transistores HEMT de AIGaN/GaN por epitaxia de haces moleculares. | DIE

Lang

Tweets por @ie_upm

Eventos destacados

« 05 2026 »
Lun	Mar	Mié	Jue	Vie	Sáb	Dom
				1	2	3
4	5	6	7	8	9	10
11	12	13	14	15	16	17
18	19	20	21	22	23	24
25	26	27	28	29	30	31

Crecimiento y fabricación de transistores HEMT de AIGaN/GaN por epitaxia de haces moleculares.

Tesis Doctorales

Fecha :

Vie, 10/10/2003

Calificación:

Sobresaliente Cum Laude

Documento electrónico:

application/pdf icon

TD Ana Jiménez Martín.pdf

Inicie sesión para enviar comentarios
Versión para impresión